4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A 4500V/6500V IGBT模塊產品支持不同拓撲結構的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A 4500V/6500V IGBT模塊產品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設...
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技術過硬,據實報價
09-24
2019
4500V/6500V IGBT模塊產品額定電流為250A至1200A 4500V/6500V IGBT模塊產品支持不同拓撲結構的IGBT模塊,額定電流為250A至1200A 4500V/6500V IGBT模塊產品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設...
09-24
2019
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構成的功率模塊。 由于igbt模塊為mosfet結構,igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,...
09-24
2019
IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。 從功能上來說,IGBT就是一個電路開關,優點就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾...